英諾賽科推出頂部散熱Dual-Cool GaN，顯著提升系統熱性能

發布日期：2025-07-10   瀏覽量：3914

前言（該信息來源于充電頭網）

早在今年2月，英諾賽科便宣布率先量產采用頂部散熱Dual-Cool En-FCLGA封裝的100V氮化鎵器件INN100EA035A 。近日，英諾賽科繼續推出INN100EA050DAD和INN100EA070DAD兩款新品，且沿用了INN100EA035A所采用的Dual-Cool En-FCLGA封裝形式。

據了解，上述兩款新品所采用的Dual-Cool En-FCLGA封裝是業界首款硅場效應晶體管的點對點替代品，可有效提升效率和功率密度。在36V至80V的輸入條件下，系統功率損耗可降低50%以上，為太陽能逆變、儲能系統等領域帶來了重大突破。

英諾賽科Dual-Cool En-FCLGA封裝GaN

當前，隨英諾賽科INN100EA050DAD和INN100EA070DAD量產出貨，英諾賽科Dual-Cool氮化鎵器件家族已經趨于完善，逐步為Ai服務器、太陽能逆變以及儲能系統提供低損耗、高功率密度的全新解決方案。

英諾賽科的Dual-Cool系列氮化鎵的主要優勢在于其采用了先進的Dual-Cool En-FCLGA封裝，傳統單冷卻封裝因熱路徑單一，易形成局部熱點，而En-FCLGA封裝由于雙面散熱架構的引入，通過頂部與底部的協同散熱設計，較同類單面散熱方案提升65%的導熱效率。這一改進直接降低了器件的工作結溫，顯著提升系統熱性能，有助于實現更高的功率密度。

Dual-Cool系列氮化鎵的另一大亮點是其先進的100V E-mode GaN 技術。該技術賦予了產品極低的柵極電荷以及更低的導阻。同時，其占板面積非常小，能夠有效節省PCB空間，滿足現代電子設備對小型化的需求。

INN100EA050DAD和INN100EA070DAD兩款新品的導阻分別為5mΩ和7mΩ，支持雙面散熱，可直接P2P替代Source down MOS，為系統設計提供了更大的靈活性且對PCB Layout友好，垂直電路路徑設計最小化了PCB寄生電阻；在36V~80V輸入條件下，系統效率大于95.5%，展現出更優秀的性能，為AI服務器電源、太陽能MPPT、儲能及電機驅動等場景提供了全新功率器件解決方案。

充電頭網總結

目前，英諾賽科頂部散熱Dual-Cool En-FCLGA封裝系列的INN100EA035A、INN100EA050DAD和INN100EA070DAD均已成功量產，并實現了批量訂單的交付。可見英諾賽科在功率器件領域的技術實力和市場競爭力得到了進一步的提升，為行業的技術進步和產業升級注入了新的動力。

英諾賽科是全球領先的第三代半導體高新技術企業，致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發與制造。公司擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產基地，產品設計及性能處于國際先進水平。公司氮化鎵產品用于各種低中高壓應用場景，產品研發范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等前沿領域。

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