英諾賽科推出高性價比120W氮化鎵方案，采用TO封裝，效率達94.6%
發(fā)布日期：2023-03-18 瀏覽量：3340
隨著終端產(chǎn)品對氮化鎵的加速應用，氮化鎵市場規(guī)模進一步擴大。相較于硅，氮化鎵高頻率、小體積的優(yōu)勢不言而喻，但價格卻仍然讓許多方案廠商猶豫不決。英諾賽科坐擁全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造基地，規(guī)?；慨a(chǎn)使氮化鎵成本在行業(yè)中具備較強的競爭優(yōu)勢。近期還推出了采用TO252 / TO220封裝的氮化鎵新品，并將其應用在120W 雙面板適配器方案中，將高效率、高功率密度和高性價比三項特性發(fā)揮到極致。
尺寸
效率
94.6%@230Vac（without NTC）
功率密度
InnGaN
INN700TK240A（TO252）
Flyback （CCM @90Vac / QR）
借助于InnoGaN平面結構的特點，TO252 封裝散熱PAD 可連接大面積散熱銅箔，TO 220 封裝散熱片加裝更加簡單；相比Si MOS，TO 封裝的GaN 能夠使 Cpe 減小5/6，共模噪音減小5/6；InnoGaN TO封裝的驅動回路G-S與功率回路D-S天然解耦，能將layout設計達到更優(yōu)。
在相同功率方案的測試對比下，采用 TO 封裝的 INN700TJ240A 溫升表現(xiàn)比 Si MOS 更優(yōu)，最大溫度收益可達到18℃。
1. 無PFC架構，輸入低壓器件損耗大，充分利用GaN Source接散熱PAD結構及優(yōu)化系統(tǒng)設計，使得Demo功率密度和效率達到業(yè)界最優(yōu)，輸入90Vac帶滿載6分鐘工況下溫升問題也得以解決；2. 開拓了E-mode GaN TO封裝參考設計，將效率和功率密度發(fā)揮到極致，為客戶提供了應用指導。
采用TO封裝的氮化鎵120W大功率方案為手機充電廠商提供了高效率、小體積、高性價比的參考設計，是手機、平板、筆記本電腦等消費類電子產(chǎn)品快充的絕佳選擇。
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